Crucial
Ausführliche Details | ||||
Allgemein | ||||
Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern | |||
Kapazität | 500 GB | |||
Formfaktor | M.2 2280 | |||
Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) | |||
Merkmale | TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) | |||
Breite | 22 mm | |||
Tiefe | 80 mm | |||
Höhe | 2.4 mm | |||
Gewicht | 17 g | |||
Leistung | ||||
SSD-Leistung | 150 TB | |||
Interner Datendurchsatz | 2300 MBps (lesen)/ 940 MBps (Schreiben) | |||
4 KB Random Read | 95000 IOPS | |||
4 KB Random Write | 215000 IOPS | |||
Zuverlässigkeit | ||||
MTBF | 1,500,000 Stunden | |||
Erweiterung und Konnektivität | ||||
Schnittstellen | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card | |||
Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 | |||
Stromversorgung | ||||
Energieverbrauch | 150 mW (Durchschnitt) ¦ 3500 mW (Max. Lesen) ¦ 3500 mW (Max. Schreiben) |
Ausführliche Details | ||||
Allgemein | ||||
Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern | |||
Kapazität | 1 TB | |||
Formfaktor | M.2 2280 | |||
Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) | |||
Merkmale | TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, Datenschutz bei Stromausfall, NVM Express (NVMe), Autonomous Power State Transition (APST), S.M.A.R.T. | |||
Breite | 22 mm | |||
Tiefe | 80 mm | |||
Leistung | ||||
SSD-Leistung | 450 TB | |||
Interner Datendurchsatz | 2400 MBps (lesen)/ 1800 MBps (Schreiben) | |||
Zuverlässigkeit | ||||
MTBF | 1,500,000 Stunden | |||
Erweiterung und Konnektivität | ||||
Schnittstellen | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card | |||
Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |